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高速自動測試設(shè)計技術(shù)及設(shè)備的未來展望

福州眾印網(wǎng)    2006-8-4 10:50:00   來源:轉(zhuǎn)載


半導(dǎo)體業(yè)正在逐漸變換到納米制造工藝。納米技術(shù)帶來巨大的好處:幾乎可以自由地增加晶體管數(shù)。另一方面,CMOS工藝已發(fā)生顯著地變化,因此,納米SOC出現(xiàn)新型的制造缺陷。第一個問題是在高頻時會增加定時失效數(shù)。其他問題還包括串?dāng)_、時鐘歪斜和同步、高速I/O參量失效,由于其模擬特性,它們對來自相鄰數(shù)字芯核的注入噪聲特別敏感。為了解決相關(guān)的質(zhì)量和測試成本問題,正在研究新的測試設(shè)計(DFT)技術(shù)和其他測試方法。特別是AC掃描和內(nèi)裝自測試(BIST)/環(huán)回技術(shù),正在日益用于改善器件高速部分與定時有關(guān)的失效。

  這些增強(qiáng)結(jié)構(gòu)的測試開發(fā),最后是否需要千兆赫數(shù)據(jù)率高速自動測試設(shè)備(ATE)?高速ATE系統(tǒng)中的高速功能和參量測試將來技術(shù)上是否繼續(xù)需要?經(jīng)濟(jì)上是否合理等問題會隨之而產(chǎn)生。

  納米制造缺陷及后果

  改變?nèi)毕萏匦缘囊粋例證是大量增加與定時有關(guān)的故障。這往往在高頻導(dǎo)致故障,如固定性故障。與DC故障比較,相關(guān)的定時問題只能通過高速測試來檢測。

  隨著器件尺寸的減小,晶體管關(guān)鍵參量(如柵氧化層厚度、閥值電壓,有效晶體管長度,漏電流)隨之增大靜態(tài)變率。這都會影響定時。

  這在本質(zhì)上會導(dǎo)致器件寄生參量非理想定標(biāo)和非理想印刷板走線的變率。這些因素會使芯片速度和功耗導(dǎo)致大的變化。

  電容串?dāng)_效應(yīng)和RC內(nèi)連延遲會進(jìn)一步惡化小規(guī)模器件的高速性能。內(nèi)連引起的傳播延遲支配晶體管柵極延遲。這種效應(yīng)會影響器件性能。

  對于這些復(fù)雜的納米器件,其傳統(tǒng)高速功能測試是針對信號完整性問題(如IR壓降,感性干擾,襯底耦合,電移),這些問題不可能用電流仿真技術(shù)展示。高速測試也可達(dá)到所需的定時關(guān)閉。

  新納米設(shè)計的產(chǎn)品直線上升期間,低產(chǎn)出往往是個問題,因為缺陷對應(yīng)用比從前的技術(shù)有更強(qiáng)的依賴性。需要更全面的測試來達(dá)到產(chǎn)品器件所需的質(zhì)量水平。與DFT能力一起,高速功能測試為了解新制造工藝固有的故障機(jī)構(gòu)提供主要的反饋環(huán)路。

  SOC設(shè)計中的同步問題

  系統(tǒng)寬時鐘同步是大量納米設(shè)計的主要問題之一。當(dāng)高速設(shè)計的最小時鐘周期減小時,裸片尺寸仍保持大的,這是因為更多元件集成在同一裸片上。因此,與內(nèi)連延遲大約成正比的有關(guān)時鐘歪斜變成時鐘周期的重要部分,而同步設(shè)計中的跨芯片通信需要一個時鐘周期以上時間。

  采用復(fù)雜的時鐘去歪斜技術(shù)來解決這些問題。在大量的設(shè)計中,新的方法,如整體異步局部同步(GALS)結(jié)構(gòu)正在替代通常的定時方法。然而,在SOC設(shè)計中不同域之間的數(shù)據(jù)傳輸仍然必須重新同步。高速功能測試可解決這類同步問題,但其他高速方法(如AC掃描)不能解決這類同步問題。

  高速I/O測試問題

  現(xiàn)在,高性能SOC設(shè)計包含大量不同的高速I/O總線和協(xié)議?梢钥吹讲煌盘杺鬏旑愋偷膹V泛混合,從同步雙向到單向信號傳輸和單端到低壓差分信號傳輸。具有分離時鐘信號的傳統(tǒng)寬、并行、源同步總線結(jié)構(gòu)正在被窄、串行、嵌入式時鐘技術(shù)替代。在器件的接收器口用具有時鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù)(CDR)單元的串行器/解串器(SerDes)從輸入數(shù)據(jù)流中提取時鐘信號。

  PC芯片組器件是混合I/O類型的例證(圖1)。例如,PCIExpress和S-ATA都用具有單向低擺幅差分信號傳輸?shù)那度胧綍r鐘技術(shù)。PCI Express可包含運(yùn)行在2.5Gb/s數(shù)據(jù)率下的32個通道,而S-ATA在1.5Gb/s或3Gb/s只支持一個通道。

圖1 具有存儲器橋(北橋)和I/O橋(南橋)的Intel基PC芯片組結(jié)構(gòu)

  相反,DDR存儲接口和Intel的前端總線(FSB)結(jié)構(gòu)現(xiàn)在采用單端、雙向、源同步技術(shù)。現(xiàn)在FSB的800Mb/s數(shù)據(jù)率可望很快增大到1066Mb/s,甚至可達(dá)到1.6Gb/s。

  為了適應(yīng)這種硬件變化和不定的行業(yè)定時,需要有靈活的測試設(shè)備。需要幾百高速引腳,但是,多時鐘域也工作在不固定的速率,因為不同的接口必須同時測試。

  SerDes宏單元大量集成到消費(fèi)類SOC器件中,這會帶來與I/O有關(guān)的復(fù)雜測試問題,例如,與抖動有關(guān)的廣延參數(shù)測試。對于高集成SOC器件,這些測試似乎是更重要的,因為它們大量的芯核可能對有效的關(guān)閉芯片數(shù)據(jù)傳輸有負(fù)面沖擊。

  高集成數(shù)字ATE通道比傳統(tǒng)機(jī)架或混合信號儀器更適合于參量測試。需要幾千兆赫的輸入模擬帶寬、低的固有系統(tǒng)抖動和高定時精度。因為它是針對所有這些測試問題,所以,高速功能測試對于芯片正確邏輯和電氣性能的驗證仍將是主要工具。這是高速器件調(diào)試和特性鑒定期間兩個主要的任務(wù)。

  隨著測試成本的繼續(xù)降低,裸片上測試能力資源的廣泛開發(fā)和應(yīng)用不斷向前推進(jìn)。為了檢驗相關(guān)定時間題,日益采用傳輸故障的全速度結(jié)構(gòu)測試、關(guān)鍵通路的通路延遲測試和BIST/環(huán)回技術(shù)。

  結(jié)構(gòu)全速度方法的一個例子是AC掃描,而EDA工具中對AC掃描的支持不斷改進(jìn)。然而,AC掃描測試期間的開關(guān)動作與功能測試是完全不同的,正是由于此原因,這不可以模擬真實的應(yīng)用條件。因此,這樣的方法需要的實際功能測試的廣延相關(guān)性。甚至有良好的相關(guān)性,仍然會有其他可能的問題,導(dǎo)致成品率損失增加或測試漏失。

  不精確的延遲測試可能是成品率損失和測試漏失的另一個原因。只有幾十皮秒的延遲通路測量誤差相當(dāng)于內(nèi)部時鐘周期的5%。至今不知道對延遲通路測量加容限測試的方法,所以,這些誤差可導(dǎo)致成品率損失或測試漏失。

  把片上BIST結(jié)構(gòu)與串行環(huán)回方法相結(jié)合是全速度產(chǎn)品測試的另一種流行技術(shù),特別是對于SerDes I/O單元的測試。用專門的ATE環(huán)回卡(如Agilent93000 BIST Assist6.4)可增強(qiáng)測試范圍,除基本功能測試外也支持參量測量(圖2)。

圖2 BIST環(huán)回測試方法與專用ATE環(huán)回卡結(jié)合

  盡管DFT或其他低成本技術(shù)對于高速器件的很多高頻I/O特性是最經(jīng)濟(jì)的測試方案,但仍然對ATE有較強(qiáng)的要求,希望它能提供全速度激勵和捕獲,特別是在產(chǎn)品定型前更是這樣。

  當(dāng)DFT完全取代全速度功能測試時,可達(dá)到的故障覆蓋率趨于折衷。這可能是一種潛在的風(fēng)險,特別是對于把工藝技術(shù)推至極限的新I/O技術(shù)而言。另外,DFT仍然是一種成熟的技術(shù),而不同的硅供應(yīng)商遵循不同的DFT開發(fā)戰(zhàn)略;诖嗽颍俣菵FT不是一貫的跨業(yè)界實現(xiàn)。甚至在生產(chǎn)中,在可預(yù)測的將來,整個業(yè)界將不希望用全速度DFT完全替代全速度功能測試。

  高速ATE通道的關(guān)鍵要求

  對于設(shè)計特征,ATE高速驅(qū)動和捕獲能力必須配合高定時的精度。同等重要的是,必須提供的ATE功能是經(jīng)濟(jì)的,因為半導(dǎo)體廠家面對巨大的成本壓力。

  高速ATE要求如下:

  ·高度靈活性:其能力包括各種不同的I/O類型。
  ·完全可量測性:其能力包括所需速度的整個范圍和所需的引腳資源。數(shù)據(jù)率范圍從幾百兆赫到     
  ·高性能:高精度和快速吞吐量。
  ·多時鐘域支持。
  ·負(fù)擔(dān)得起的成本。

     結(jié)語

       不管現(xiàn)在的進(jìn)展如何,全速度結(jié)構(gòu)和BIST基環(huán)回測試不大可能解決與納米制造缺陷相關(guān)定時的所有問題。隨著大多數(shù)產(chǎn)品壽命周期變得越來越短,而檢驗和最佳化DFT電路達(dá)到必須的水平變得更加困難。很多情況下,DFT基技術(shù)將與有限數(shù)的功能全速度圖形共存,這可填充僅DFT技術(shù)的漏失測試范圍。因此,可提供高速、高密度和高度通用的ATE將仍然是獲得成功半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵。



本文標(biāo)題:高速自動測試設(shè)計技術(shù)及設(shè)備的未來展望
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